NTJD4401NT1G场效应管 ON(安森美)技术参数-太航半导体(ipz-205)

NTJD4401NT1G场效应管 ON(安森美)技术参数-太航半导体(ipz-205) 技术参数 品牌:ON 型号:NTJD4401NT1G 封装:SOT-363 批号:22+ 数量:10000 制造

NTJD4401NT1G场效应管 ON(安森美)技术参数-太航半导体(ipz-205)

技术参数

品牌:ON

型号:NTJD4401NT1G

封装:SOT-363

批号:22+

数量:10000

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-88-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:910 mA

Rds On-漏源导通电阻:375 mOhms

Vgs – 栅极-源极电压:4.5 V

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Qg-栅极电荷:1.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.55 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:NTJD4401N

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

正向跨导 – 最小值:2 S

下降时间:506 ns

上升时间:227 ns

典型关闭延迟时间:786 ns

典型接通延迟时间:83 ns

单位重量:290 mg

NTJD4401NT1G

特征

•占地面积小(2 x 2 mm)

•低栅极电荷N−通道器件

•ESD保护门

•与SC−70相同的包装(6导联)

•AEC−Q101合格和PPAP能力−NVJD4401N

•这些设备不含铅,符合RoHS标准

应用

•负载电源切换

•锂离子电池供电设备

•手机、媒体播放器、数码相机、PDA

•直流-直流转换

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